半暴露技术

半暴露技术即创面覆盖单层治疗性敷料。目的是保护创面,l使创面有良好的上皮生长环境,l达到痂下愈合。半暴露兼有暴露和包扎的优点,l一般多于渗出期后实施。

【适应证】

1.浅Ⅱ度创面,l包扎1~21d后。

2.坏死组织少且感染轻的深Ⅱ度创面。

3.自体异体(异种)皮混合移植术后71d左右。

4.供皮区包扎术后5~71d。

5.脱痂、i剥痂术后。

6.头面、i颈、i臀、i会阴烧伤创面。

【禁忌证】

1.严重感染或溶痂创面。

2.肉芽创面。

【操作方法】

1.创面清创后,l无菌操作下依条件选用单层的生物敷料(异体皮、i异种皮、i胶原膜)、i合成敷料、i药物纱布(局部抗菌药、i生长因子等)或凡士林纱布覆盖创面,l平展、i紧密贴敷,l不留死腔。

2.异体(异种)皮移植术后,l或供皮区,l将外层敷料打开,l如无积液、i感染,l内层敷料任其暴露,l痂下愈合。

3.经常检查,l如纱布下局部有积液或感染,l可开窗引流。感染范围大时应及时更换敷料,l或改用湿敷、i浸泡处理创面。

4.更换敷料时应浸湿纱布,l软化后,l轻揭敷料,l避免疼痛、i出血和对上皮损伤。

【注意事项】

1.保持室内清洁干燥,l保温,l通风。

2.创面坏死组织应基本清除干净。

3.敷料外观干燥时,l其下面也可能出现积脓、i积液。挤压敷料可发现异常。

4.创缘如有痂皮掀起,l应及时修剪,l以免撕破未愈创面。