【适应证】

适用于累及范围较大的躯体和头面部的各种慢性疼痛，l躯干、i四肢疼痛进行对侧丘脑腹后外侧核(VPL)的毁损，l头面部疼痛则选择对侧丘脑腹后内侧核(VPM)。

【禁忌证】

见本章前言。

【操作方法】

(1)手术在局麻下进行，l术前给患者安装立体定向头架，l行MRI扫描，l计算靶点坐标。VPL的参考定位坐标为：iPC前方3～4mm，lAC-PC线上方4mm，lAC-PC线旁开15～17mm。VPM的参考定位坐标为：iPC前方4～5mm，lAC-PC线上方4mm，lAC-PC线旁开8～10mm。

(2)患者仰卧位，l将立体定向头架牢固固定在手术床上，l核对靶点坐标，l校准定位仪。标记冠状缝前、i中线旁开3cm的头皮纵行直切口，l长约3～4cm，l常规消毒。依次切开头皮诸层，l在切口中心位置颅骨钻孔1个，l“十”字形切开硬脑膜，l避开血管在预定的穿刺部位电灼切开皮层。

(3)导入微电极，l进行神经电生理记录和监测，l并给予适当电刺激，l观察患者对侧肢体或头面部的感觉或运动功能变化，l进一步验证和确认靶点的位置。

(4)导入射频毁损电极，l先行温度50～55℃持续20～30s的试毁损，l若无不良反应出现，l再行温度65～85℃持续60～120s的确切毁损。

(5)撤除电极和定位仪，l仔细止血后逐层缝合头皮切口。

【注意事项】

(1)VPL和VPM由外侧向内侧的体表对应关系为下肢、i躯干、i上肢和头面部，l应根据不同部位的疼痛，l确定毁损靶点的中心位置，l这样既能提高疗效又能减少并发症的发生。

(2)注意根据毁损电极的不同直径和尖端裸露的不同长度，l选择适当的毁损温度和时间，l以控制毁损灶的大小。

(3)毁损VPL和VPM治疗各种疼痛的短期疗效显著，l但容易出现感觉迟钝等并发症，l长期随访复发率较高。目前，lVPM或VPL的毁损大多与脑内其他核团或结构的毁损联合应用，l以增强止痛效果、i减少并发症。