【适应证】

适用于偏侧性范围较广的躯干或头面部各种顽固性疼痛，l躯干疼痛毁损对侧辛脑脊髓丘脑束，l头面部疼痛毁损对侧中脑三叉丘系。

【禁忌证】

见本章前言。

【操作方法】

(1)术前给患者安装立体定向头架，l要注意使头架的轴位面与AC—PC线保持1F行，l然后行颅脑MRI扫描，l计算靶点坐标。中脑脊髓丘脑束的参考定位坐标为：iPC后方5mm，lAC-PC线下方5mm，lAC-PC线旁开7～10mm。三叉丘系位于脊髓丘脑束的内侧，l其参考定位坐标为：iPC后方5mm，lAC-PC线下方5mm，lAC-PC线旁开4～6mm。

(2)手术在局麻下进行，l常规在头皮对应的位置取直切口，l颅骨专孔1个，l电灼切开硬脑膜和皮层。

(3)将微电极导人靶点进行术中电刺激，l当刺激脊髓丘脑束时，l会出现对侧躯体的疼痛、i麻木、i电灼或发凉等感觉；当刺激三叉丘系时，l则会出现对侧头面部的异常感觉，l根据电刺激的结果来确定最终的毁损靶点位置。

(4)置换直径＜1.1mm、i尖端裸露2mm以内的射频毁损电极，l70～75℃毁损40～60s。

【注意事项】

(1)中脑脊髓丘脑束和三叉丘系的毁损靶点位置争议较大，l这主要与中脑毁损的具体层面的不同有关。

(2)术中要注意保持患者神志清楚并能很好地与医生交流和配合，l在预计靶点附近反复进行电刺激，l观察电刺激时患者对侧躯干或头面部感觉的变化情况以及患者的眼球活动情况，l据此来确定毁损的靶点位置，l避免损伤动眼神经核等中脑的其他结构，l术中微电极刺激结果是判断毁损靶点位置准确与否的最重要依据。

(3)毁损时要注意控制毁损的温度和时间，l使毁损灶的直径不超过3mm，l以避免或减少对中脑其他结构的损伤。